[发明专利]一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法有效
| 申请号： | 201811578076.7 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109632925B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 齐俊杰;卫喆;胡超胜;李志超;许磊 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括：在试样表面转移石墨烯；将转移石墨烯的试样放置于二次离子质谱仪的样品室内，并抽真空；向样品室内通入氧气；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度剖析图；获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对AlN中痕量杂质元素浓度及分布进行高精度检测，可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 aln 痕量 杂质 元素 浓度 分布 sims 优化 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1、在试样表面转移石墨烯；步骤2、将表面转移石墨烯的所述试样放置于二次离子质谱仪的样品室内，并抽真空；步骤3、向所述样品室内通入氧气；步骤4、从所述试样溅射出二次离子；步骤5、调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；步骤6、通过所述二次离子质谱仪内的飞行时间质量分析器来收集所述二次离子；步骤7、通过所述飞行时间质量分析器对所述二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度剖析图；步骤8、根据所述质谱图和所述二次离子深度剖析图获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。
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