[发明专利]蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 201811579793.1 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN110021524B 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 昆泰光;浅山佳大;热海秀 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/308;H01J37/32
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;刘芃茜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种针对掩模选择性地蚀刻膜的方法。在一个实施方式的蚀刻方法中,交替地生成第一处理气体的等离子体和第二处理气体的等离子体。第一处理气体和第二处理气体各自包括含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体、和含氟气体。第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比,大于第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比多。当第一气体的流量增加时,第二气体的流量减少。当第二气体的流量增加时,第一气体的流量和含氟气体的流量减少,含氧气体的流量增加。
搜索关键词: 蚀刻 方法
【主权项】:
1.一种基片的膜的蚀刻方法,该基片在所述膜上形成有具有图案的掩模,该蚀刻方法是在所述基片配置于等离子体处理装置的腔室内的状态下执行的,所述蚀刻方法的特征在于,包括:为了蚀刻所述膜,在所述腔室内生成第一处理气体的等离子体的步骤,其中,所述第一处理气体包含含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体和含氟气体;和为了蚀刻所述膜,在所述腔室内生成第二处理气体的等离子体的步骤,其中,所述第二处理气体包含所述第一气体、所述第二气体、所述含氧气体和所述含氟气体,交替地执行生成第一处理气体的等离子体的所述步骤和生成第二处理气体的等离子体的所述步骤,所述第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比,大于所述第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比,所述第一处理气体中的所述第一气体的流量,比所述第二处理气体中的所述第一气体的流量大,所述第二处理气体中的所述第二气体的流量,比所述第一处理气体中的所述第二气体的流量大,所述第二处理气体中的所述含氧气体的流量,比所述第一处理气体中的所述含氧气体的流量大,所述第二处理气体中的所述含氟气体的流量,比所述第一处理气体中的所述含氟气体的流量小。
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