[发明专利]蚀刻方法有效
申请号: | 201811579793.1 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN110021524B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 昆泰光;浅山佳大;热海秀 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/308;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种针对掩模选择性地蚀刻膜的方法。在一个实施方式的蚀刻方法中,交替地生成第一处理气体的等离子体和第二处理气体的等离子体。第一处理气体和第二处理气体各自包括含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体、和含氟气体。第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比,大于第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比多。当第一气体的流量增加时,第二气体的流量减少。当第二气体的流量增加时,第一气体的流量和含氟气体的流量减少,含氧气体的流量增加。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基片的膜的蚀刻方法,该基片在所述膜上形成有具有图案的掩模,该蚀刻方法是在所述基片配置于等离子体处理装置的腔室内的状态下执行的,所述蚀刻方法的特征在于,包括:为了蚀刻所述膜,在所述腔室内生成第一处理气体的等离子体的步骤,其中,所述第一处理气体包含含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体和含氟气体;和为了蚀刻所述膜,在所述腔室内生成第二处理气体的等离子体的步骤,其中,所述第二处理气体包含所述第一气体、所述第二气体、所述含氧气体和所述含氟气体,交替地执行生成第一处理气体的等离子体的所述步骤和生成第二处理气体的等离子体的所述步骤,所述第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比,大于所述第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比,所述第一处理气体中的所述第一气体的流量,比所述第二处理气体中的所述第一气体的流量大,所述第二处理气体中的所述第二气体的流量,比所述第一处理气体中的所述第二气体的流量大,所述第二处理气体中的所述含氧气体的流量,比所述第一处理气体中的所述含氧气体的流量大,所述第二处理气体中的所述含氟气体的流量,比所述第一处理气体中的所述含氟气体的流量小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811579793.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造半导体器件的方法
- 下一篇:制造半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造