[发明专利]成膜方法在审
申请号: | 201811580087.9 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN110004431A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 木原嘉英;横山乔大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/04;C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为了在被处理基片上形成图案时实现随高度集成化带来的精细化,提供一种用于抑制颗粒产生的技术。一实施方式的方法是一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法,被处理基片被配置在载置台上,载置台被设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内,在该空间配置有与载置台相对的能够供给高频电力的上部电极。该方法反复执行下述流程,其中该流程包括:在被处理基片的图案上形成沉积膜的第一步骤;和仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体,从而对空间进行清扫的第二步骤。 | ||
搜索关键词: | 上部电极 载置台 图案 成膜 等离子体 等离子体处理 反复执行 高度集成 高频电力 供给电力 减压环境 空间配置 沉积膜 精细化 载置 清扫 配置 | ||
【主权项】:
1.一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法,所述被处理基片被配置在载置台上,所述载置台被设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内,在该空间配置有与所述载置台相对的能够供给高频电力的上部电极,所述成膜方法的特征在于:反复执行下述流程,其中该流程包括:在所述被处理基片的所述图案上形成沉积膜的第一步骤;和仅对所述上部电极供给电力来在所述空间中产生等离子体,从而对该空间进行清扫的第二步骤。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的