[发明专利]一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法在审
申请号: | 201811580393.2 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109660222A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 蒋尚欢;朱良凡;黄薛龙;曹亚昆;俞畅;赵仕鑫;奚凤鸣 | 申请(专利权)人: | 安徽华东光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | H03H3/00 | 分类号: | H03H3/00;H05K3/34;H01P11/00 |
代理公司: | 芜湖金钥匙专利代理事务所(普通合伙) 34151 | 代理人: | 蔡庆新 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法,其加工步骤如下:S1:将电路板、芯片载体,绝缘子烧结到变频器腔体上;S2:将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上;S3:将相关器件烧结到到电路板上;S4:将MEMS滤波器粘接到芯片载体上;S5:金丝键合;S6:对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试。经过此工艺生产的Ku频段上变频器腔体滤波器经过测试、高低温实验以及整机调试,各项性能指标都能达到整机要求;且生产此滤波器的工艺流程科学、简单、方便,生产的产品合格率也有很大的提高,大大降低了生产成本、提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 腔体滤波器 上变频器 芯片载体 电路板 烧结 绝缘子 放大器 滤波器 产品合格率 测试 变频器腔 工艺生产 加工步骤 金丝键合 生产效率 贴片组件 芯片电容 整机调试 整机要求 工艺流程 高低温 裸芯片 封盖 共晶 腔体 制作 生产成本 装配 生产 | ||
【主权项】:
1.一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法,包括电路板、芯片载体、绝缘子、芯片放大器、芯片电容和MEMS滤波器,其特征在于,所述变频器的加工步骤如下:S1:将电路板、芯片载体,绝缘子烧结到变频器腔体上;S2:将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上;S3:将相关器件烧结到到电路板上;S4:将MEMS滤波器粘接到芯片载体上;S5:金丝键合;S6:对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试。
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