[发明专利]降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法在审
| 申请号： | 201811580753.9 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109671627A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈杰智;马晓雷 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/812;H01L29/267 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，是在Si的表面用氢元素或者氟元素进行钝化处理，然后与过渡金属硫化物的两端进行表面接触，搭成NIN型肖特基场效应管或PIP型肖特基场效应管。用氢元素钝化Si表面后的接触体系，费米能级和过渡金属硫化物的导带底的能量差降低，从而可以通过氢元素钝化Si表面降低体系的肖特基势垒；其次用氟元素钝化Si表面，可以由原来的n型肖特基接触变成p型肖特基接触。该方法选用传统材料硅和过渡金属硫化物进行表面接触，并通过传统的钝化元素氢或氟对Si表面进行钝化处理，可以降低Si‑MoS2体系的肖特基势垒，这对未来未来微电子器件把二维材料集成到传统硅材料中有重大指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属硫化物 肖特基势垒 钝化 氢元素 肖特基接触 场效应管 钝化处理 界面处理 氟元素 肖特基 半导体 微电子器件 传统材料 二维材料 费米能级 传统的 硅材料 能量差 元素氢 导带 | ||
【主权项】：
1.一种降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：Si的表面用氢元素或者氟元素进行钝化处理，然后与过渡金属硫化物的两端进行表面接触，搭成NIN型肖特基场效应管或PIP型肖特基场效应管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
