[发明专利]晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法有效
| 申请号： | 201811580776.X | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698147B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 梁梦诗;聂钰节 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆刻蚀系统，包括：所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前和刻蚀后晶圆膜层后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间。本发明还公开了一种晶圆刻蚀方法。本发明基于膜层厚度变化调节晶圆关键尺寸，在APC系统管控下进行定量调节刻蚀机刻蚀程式参数，以达到刻蚀关键尺寸的稳定性，改善刻蚀晶圆的面内均匀性，避免因刻蚀关键尺寸的漂移造成最终电性参数和良率的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆刻蚀系统，其特征在于，包括：测量装置、刻蚀机和APC系统；所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前和刻蚀后晶圆膜层后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
