[发明专利]沿发射器通道的阻抗补偿在审
申请号: | 201811582292.9 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109980503A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | A.V.巴尔韦;B.凯斯勒;M.G.彼得斯 | 申请(专利权)人: | 朗美通经营有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/42 | 分类号: | H01S5/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贺紫秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 发射器阵列可以包括多个发射器和用于电连接多个发射器的金属化层。金属化层可以具有第一端和第二端。多个发射器可以包括第一发射器和第二发射器。第一发射器可以定位为比第二发射器更靠近第一端。第一发射器和第二发射器具有不同尺寸的结构,以对第一端和第一发射器之间的金属化层的第一阻抗和第一端和第二发射器之间的第二阻抗进行补偿。 | ||
搜索关键词: | 发射器 第一端 多个发射器 金属化层 阻抗 发射器通道 发射器阵列 阻抗补偿 电连接 | ||
【主权项】:
1.一种垂直腔表面发射激光器阵列,即VCSEL阵列,包括:多个VCSEL;和金属化层,电连接多个VCSEL,其中金属化层具有第一端和第二端,其中多个VCSEL包括第一VCSEL和第二VCSEL,其中第一VCSEL定位为比第二VCSEL更靠近第一端,其中在金属化层被供电时,根据第一VCSEL的第一电阻抗与第二VCSEL的第二电阻抗的差异,第一VCSEL的第一结构与第二VCSEL的第二结构不同。
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