[发明专利]有机发光二极管

摘要

本文公开一种有机发光二极管，包括：至少两个发光叠层，插置在阳极和阴极之间且包括至少一个发光材料层；以及插置在发光叠层之间的电荷生成层。所述电荷生成层包括N‑型电荷生成层和P‑型电荷生成层，其中所述N‑型电荷生成层和所述P‑型电荷生成层以如下方向进行堆叠：所述N‑型电荷生成层面对所述阳极，且所述P‑型电荷生成层面对所述阴极。所述N‑型电荷生成层包括式1表示的化合物。所述P‑型电荷生成层包括选自由式2表示的化合物、式3表示的化合物、以及这些化合物的组合组成的群组中的任一种。本发明用于N‑型电荷生成层的材料和用于P‑型电荷生成层的材料在用于有机发光二极管中时能够确保有机发光二极管的低驱动电压和长寿命。[式1][式2][式3]

主权项

1.一种有机发光二极管，包括：插置在阳极和阴极之间且包括至少一个发光材料层的至少两个发光叠层；以及插置在所述发光叠层之间的电荷生成层，其中，所述电荷生成层包括N‑型电荷生成层和P‑型电荷生成层，所述N‑型电荷生成层和所述P‑型电荷生成层以如下方向进行堆叠：所述N‑型电荷生成层面对所述阳极，且所述P‑型电荷生成层面对所述阴极，其中，所述N‑型电荷生成层包括式1表示的化合物，并且其中，所述P‑型电荷生成层包括选自由式2表示的化合物、式3表示的化合物、以及这些化合物的组合组成的群组中的一种：[式1]其中，X是NR⁵、CR⁶R⁷、S、O、或Se；R⁵是氢、氘、卤素、‑P(＝O)R⁸R⁹、取代的或未取代的C₆至C₆₀的单环或多环芳基、取代的或未取代的C₂至C₆₀的单环或多环杂芳基、或者被取代的或未取代的C₁至C₂₀的烷基、取代的或未取代的C₆至C₆₀的单环或多环芳基、或者取代的或未取代的C₂至C₆₀的单环或多环杂芳基取代的或未取代的氨基；R⁶、R⁷、R⁸和R⁹各自独立地是氢、取代的或未取代的C₁至C₆₀的直链或支链烷基、取代的或未取代的C₃至C₆₀的单环或多环环烷基、取代的或未取代的C₆至C₆₀的单环或多环芳基、或者取代的或未取代的C₂至C₆₀的单环或多环杂芳基；L¹选自由取代的或未取代的C₅至C₆₀的单环或多环芳撑基、取代的或未取代的C₂至C₆₀的单环或多环杂芳撑基、取代的或未取代的C₁至C₆₀的直链或支链烷撑基、取代的或未取代的二价氨基、以及这些基团的组合组成的群组；L²选自由氢、取代的或未取代的C₁至C₆₀的直链或支链烷基、取代的或未取代的C₃至C₆₀的单环或多环环烷基、取代的或未取代的C₆至C₆₀的单环或多环芳基、或者取代的或未取代的C₂至C₆₀的单环或多环杂芳基组成的群组；R¹和R²各自独立地选自由氢、取代的或未取代的C₁至C₆₀的直链或支链烷基、取代的或未取代的氨基、以及这些基团的组合组成的群组，或者R¹和R²彼此连接以形成稠环；R³和R⁴各自独立地选自由氢、取代的或未取代的C₁至C₆₀直链或支链烷基、取代的或未取代的氨基、以及这些基团的组合组成的群组，或者R³和R⁴彼此连接以形成稠环；当R¹和R³并未分别与R³和R⁴一起形成稠环时，R²与R⁴一起形成或未形成稠环；通过R¹与R²之间的连接而形成的稠环是取代的或未取代的单环或多环C₆至C₆₀的芳基、或者取代的或未取代的单环或多环C₂至C₆₀的杂芳基，所述稠环的至少一个氢原子被取代；通过R²与R³之间的连接而形成的稠环是取代的或未取代的单环或多环C₆至C₆₀的芳基、或者取代的或未取代的单环或多环C₂至C₆₀的杂芳基，所述稠环的至少一个氢原子被取代；并且通过R³与R⁴之间的连接而形成的稠环是取代的或未取代的单环或多环C₆至C₆₀的芳基、或者取代的或未取代的单环或多环C₂至C₆₀的杂芳基，所述稠环的至少一个氢原子被取代，如上定义的杂芳基和杂芳撑基包括选自由N、O、S、Si及其组合组成的群组中的至少一个杂原子；[式2][式3]其中R₁至R₆各自独立地是氢、取代的或未取代的C₆至C₁₂的芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₂的杂芳基、取代的或未取代的C₁至C₁₂的烷基、取代的或未取代的C₁至C₁₂的烷氧基、取代的或未取代C₁至C₁₂的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基、或三甲基硅基，R₁至R₆中的至少一个包括氰基；Z₁和Z₂各自独立地由式4表示：[式4]其中A和B各自独立的是选自氢、取代的或未取代的C₆至C₁₂的芳基、C₃至C₁₂的杂芳基、C₁至C₁₂的烷基、C₁至C₁₂的烷氧基、C₁至C₁₂的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基、以及三甲基硅基中的任一种；并且式2和式3中的取代基互相独立地进行选择。