[发明专利]g-C3N4纳米片插层花状TiO2微球及其制备方法在审
| 申请号： | 201811583102.5 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109590007A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 鄂磊;胡朝阳;胡康慨;赵丹;李环 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/08 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 高正方 |
| 地址： | 300384*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种g‑C3N4纳米片插层花状TiO2微球及其制备方法，包括以下步骤：将尿素放入密闭氧化铝坩埚中，在马弗炉中热处理，冷却，得到g‑C3N4粉体；将g‑C3N4置于玛瑙研钵中研磨，然后将其分散到冰乙酸中并超声处理，得到g‑C3N4冰乙酸悬浮液；将上述悬浮液持续搅拌，然后再逐滴加入钛酸丁酯（TBT），滴加完毕后继续搅拌；然后再转移至反应釜中，密闭后置于烘箱中水热反应；待反应釜冷却至室温，将反应产物离心分离，并依次用去离子水和无水乙醇反复洗涤反应产物，干燥处理；将干燥后的粉体放入马弗炉中，热处理，即可得到g‑C3N4纳米片插层花状TiO2微球。本发明将g‑C3N4纳米片以插层的形式负载于TiO2微球的纳米片中，不仅具有较大的比表面积，还拓宽其对光响应范围。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 插层 微球 花状 热处理 冰乙酸 反应釜 马弗炉 悬浮液 密闭 放入 粉体 制备 冷却 烘箱 氧化铝坩埚 超声处理 持续搅拌 反复洗涤 干燥处理 玛瑙研钵 去离子水 无水乙醇 形式负载 钛酸丁酯 研磨 热反应 滴加 尿素 响应 | ||
【主权项】：
1.g‑C3N4纳米片插层花状TiO2微球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将尿素放在密闭氧化铝坩埚中，置于马弗炉中热处理一段时间，自然冷却至室温，得到g‑C3N4粉体；步骤二：将步骤一得到的g‑C3N4粉体置于玛瑙研钵中研磨，然后将研磨后的g‑C3N4粉体分散到一定量的冰乙酸中，超声处理，得到g‑C3N4冰乙酸悬浮液；步骤三：将步骤二得到的g‑C3N4冰乙酸悬浮液持续搅拌一段时间后，向g‑C3N4冰乙酸悬浮体系中逐滴加入钛酸丁酯（TBT），滴加完毕后继续搅拌，得到反应液；步骤四：将步骤三得到的反应液转移至反应釜中，密闭后置于烘箱中，水热反应，得到反应产物；步骤五：待反应釜冷却至室温后，将步骤四得到的反应产物离心分离，并依次用去离子水和无水乙醇反复洗涤反应产物后，置于烘箱中干燥，得到干燥粉体；步骤六：将步骤五得到的干燥粉体放入马弗炉中热处理，即得到g‑C3N4纳米片插层花状TiO2微球。
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