[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的实施例涉及半导体装置及其制造方法。为了改善半导体装置的性能，在p型半导体PR之上形成半导体层EP。在半导体层EP之上形成n型半导体层NR1。半导体层PR、半导体层EP和半导体层NR1分别配置光接收器的一部分。在半导体层EP之上形成与半导体层EP的材料不同的材料的盖层，并且在盖层内形成硅化物层，该硅化物层是金属与被包括在盖层中的材料的反应产物。穿过硅化物层在盖层之上形成具有阻挡金属膜BM1的插塞。这里，在半导体层NR1内未形成金属与被包括在半导体层NR1中的材料的反应产物。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一半导体层，形成在衬底之上、并且包括第一导电类型的杂质；第二半导体层，形成在所述第一半导体层之上；第三半导体层，形成在所述第二半导体层内，所述第三半导体层是所述第二半导体层的一部分、并且包括第二导电类型的杂质，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第四半导体层，形成在所述第三半导体层之上，所述第四半导体层由与所述第二半导体层的材料不同的材料组成；第一化合物层，形成在所述第四半导体层内，所述第一化合物层是第一金属与被包括在所述第四半导体层中的所述材料的反应产物；以及第一插塞，形成在所述第一化合物层之上，所述第一插塞穿过所述第一化合物层而被电耦合到所述第三半导体层，其中所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层分别配置光接收器的一部分，以及其中所述第一金属与被包括在所述第三半导体层中的所述材料的反应产物未形成在所述第三半导体层内。