[发明专利]一种基片的清洗方法和共晶键合方法在审
| 申请号： | 201811585113.7 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111348617A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李盈;丁刘胜 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种基片的清洗方法和共晶键合方法。该基片的清洗方法包括：使用四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液对基片表面形成的第一图形进行清洗，其中，所述第一图形的材料为锗(Ge)。根据本实施例，能够清除锗材料图形表面的锗的氧化物，从而提高共晶键合的质量，并且价格便宜且容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 共晶键合 | ||
【主权项】：
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