[发明专利]正入射式共面电极光电芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法；一种正入射式共面电极光电芯片，芯片上开设主光槽，主光槽向芯片的任一表面方向开口并贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，第一电极位于收光区的外侧，第一电极和第二电极相互绝缘设置；以芯片的正面为入光侧，主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从收光区进入到吸收层内进行光电转换；故本发明提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控；进而使用本发明提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光，减少了系统体积，也降低了成本。

主权项

1.一种正入射式共面电极光电芯片，其特征在于：所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘设置；以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。