[发明专利]正入射式多单元光电芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式多单元光电芯片及其制备方法；一种正入射式多单元光电芯片，包括多个分光单元，每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；分光槽贯穿芯片的吸收层；第一电极位于吸光区的外侧；以芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的分光单元，每束入射光的一部分从对应的分光单元的分光槽透射分出，每束入射光的另一部分从对应的分光单元的吸光区进入到吸收层内进行光电转换；故本发明提供的正入射式多单元光电芯片能够对多束入射光的每束入射光分别进行分光和光功率监控，进而使得应用本发明提供的芯片的光路系统，无须使用大量的光分路器进行分光，减少了系统体积。

主权项

1.一种正入射式多单元光电芯片，其特征在于：包括多个分光单元，每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；所述分光槽贯穿所述芯片的吸收层；所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面，并所述第一电极位于所述吸光区的外侧；以所述芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的所述分光单元，每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽透射分出，每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。