[发明专利]存储器单元及形成存储器单元的方法在审
| 申请号： | 201811588942.0 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109994477A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘海涛;K·M·卡尔达;A·法鲁辛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及存储器单元及形成存储器单元的方法。可编程电荷存储晶体管包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、电荷存储材料、控制栅极，及所述电荷存储材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及铁电绝缘体材料。揭示存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列，包含形成此存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列的方法。揭示其它实施例，包含方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 存储器单元串 电荷存储材料 电荷阻挡材料 控制栅极 竖向延伸 电荷存储晶体管 电绝缘体材料 铁电绝缘体 电荷通道 沟道材料 可编程 申请案 非铁 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种可编程电荷存储晶体管，其包括：沟道材料；绝缘电荷通道材料；电荷存储材料；控制栅极；及电荷阻挡材料，其在所述电荷存储材料与所述控制栅极之间，所述电荷阻挡材料包括：非铁电绝缘体材料；及铁电绝缘体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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