[发明专利]一种半导体消除内应力的方法在审
| 申请号： | 201811590104.7 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370318A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郎鑫涛 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。本发明的方法在陶瓷板的背面进行热处理，正面的半导体的内应力得到了降低或者消除的效果，本发明的方法可以和制备半导体的工艺联用，在短时间内大批处理半导体元件，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 消除 内应力 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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