[发明专利]一种石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201811592288.0 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109650383A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张燕辉;于广辉;隋妍萍;陈志蓥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯的制备方法，制备方法包括步骤：提供生长衬底，且生长衬底具有生长表面；提供固态氧源，并使固态氧源与生长表面之间保持一定间距；以及提供石墨烯生长气体，并通过固态氧源提供氧源，以基于石墨烯生长气体及氧源于生长表面上生长石墨烯。通过上述技术方案，本发明通过在石墨烯生长过程中提供氧源的方式，控制石墨烯的成核密度，控制石墨烯晶畴的尺寸，并通过固态氧源远程供氧的方式，解决了供氧过程中存在安全风险、衬底表面平整度下降以及供氧量低、容易引入杂质等问题，实现了重复性高、高效、安全的供氧，适用于CVD石墨烯的批量制备。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 固态氧 生长表面 生长 供氧 制备 衬底 氧源 衬底表面 批量制备 生长过程 供氧量 平整度 成核 晶畴 安全 引入 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供生长衬底，且所述生长衬底具有生长表面；提供固态氧源，并使所述固态氧源与所述生长表面之间具有间距；以及提供石墨烯生长气体，并使所述固态氧源提供氧源，以基于所述石墨烯生长气体及所述氧源于所述生长表面上生长石墨烯。
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