[发明专利]一种异性堆叠石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201811592551.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109987597B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈达;李久荣;王刚;赵梦晗;胡绪瑞;朱伟 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 丁少华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异性堆叠石墨烯的制备方法，包括如下步骤：准备绝缘或半导体的衬底；在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；对掺杂碳源层进行加热，使得碳融入到镍层中，然后进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另一侧生长纯石墨烯；退火蒸发镍层，使得掺杂石墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触。在绝缘或半导体的衬底上生长层状的掺杂石墨烯和纯石墨烯，避免了后续的转移步骤，也就避免了损坏掺杂石墨烯和纯石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异性 堆叠 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤①：准备绝缘或半导体的衬底；步骤②：在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；步骤③：对掺杂碳源层进行加热退火，使得碳融入到镍层中，然后进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另一侧生长纯石墨烯；步骤④：退火蒸发镍层，使得掺杂石墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触。
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