[发明专利]硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版

摘要

本发明提供了一种硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版，包括选取硅片，所述硅片区分为第一部分与第二部分，在第二部分的一侧表面进行金属化；清洗硅片，再分别测试得到第一部分的复合电流密度J0_test1及第二部分的复合电流密度J0_test2；所述硅片表面金属化界面的复合电流密度J0_me‑Si可通过测试得到的J0_test2，结合第一部分表面的复合电流密度J0_s1、J0_s2以及第二部分的金属化面积占比求算得到。本发明测试方法通过对硅片不同位置的测试，即可直接得到硅片表面金属化界面的复合电流密度J0_me‑Si，便于浆料性能评估及工艺优化，且测试过程更简洁，减小材料耗费。

主权项

1.一种硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法，其特征在于：选取硅片，所述硅片区分为第一部分与第二部分，在第二部分的一侧表面进行金属化；清洗硅片，去除表面金属相并使得硅片表面的金属化界面向外暴露，分别测试得到第一部分的复合电流密度J0_test1及第二部分的复合电流密度J0_test2，得算式如下：J0_test1＝J0_s1+J0_s2其中，J0_s1、J0_s2分别为第一部分两侧表面的复合电流密度，其中，J0_s1＝J0_test1/n，n＞1；J0_test2＝f_metal*J0_me‑Si+(1‑f_metal)*J0_s1+J0_s2其中，J0_me‑Si为第二部分表面金属化界面的复合电流密度，f_metal为第二部分一侧表面的金属化面积占比，将前述J0_s1、J0_s2分代入上式即可得到硅片表面金属化界面的复合电流密度J0_me‑Si。