[发明专利]一种沟槽型VDMOS的元胞版图结构在审
| 申请号： | 201811593168.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370462A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 肖魁;方冬;卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型VDMOS的元胞版图结构，包括至少一个元胞，所述元胞包括：若干个并联设置的源区；沟槽，环绕每个所述源区设置，所述沟槽用于形成栅极结构，所述沟槽的边界和所述源区的边界重合，以限定所述元胞的沟道；其中，所述源区的边界上设置有向所述沟槽方向延伸的凸出结构，以增加每个所述元胞的沟道的周长。根据本发明的元胞版图结构，对所述源区进行了改进，在所述源区的边界上增加了凸出结构，增加了由沟槽的边界限定的沟道的长度，可以增大沟道密度，使得在同等电流的情况下，进一步减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 vdmos 版图 结构 | ||
【主权项】：
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