[发明专利]一种表面大凸点晶圆临时键合方法在审
| 申请号： | 201811593467.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110021547A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;王永河;马飞;程明芳;郁发新 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种表面大凸点晶圆临时键合方法，具体处理包括101）制作凹槽步骤和102）键合步骤；本发明提供能大大增加临时键合工艺的适用性的一种表面大凸点晶圆临时键合方法。 | ||
| 搜索关键词： | 临时键合 晶圆 凸点 键合 制作 | ||
【主权项】：
1.一种表面大凸点晶圆临时键合方法，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）制作凹槽步骤：在载板上表面通过光刻、刻蚀工艺制作凹槽，在载片上表面通过旋涂、喷胶或者电镀的工艺加一层键合胶；102）键合步骤：把步骤101）处理后的载板，通过加热和压合的方式使其跟转接板做临时键合，加热温度范围在20度到200度之间；转接板表面凸起或者贴装芯片被包在载板的凹槽内部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811593467.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
