[发明专利]一种基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器在审
| 申请号： | 201811593520.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109687830A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 林倩;邬海峰;张晓明;刘林盛;潘赢 | 申请（专利权）人： | 青海民族大学 |
| 主分类号： | H03F1/48 | 分类号： | H03F1/48;H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/45 |
| 代理公司： | 成都创新引擎知识产权代理有限公司 51249 | 代理人： | 向群 |
| 地址： | 810007 *** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于HBT‑HEMT堆叠技术的超宽带放大器，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一CECG堆叠晶体管、第二CECG堆叠晶体管、第三CECG堆叠晶体管、第四CECG堆叠晶体管,与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的第一馈电网络和与第一至第四CECG堆叠晶体管相连的第二馈电网络，本发明核心架构采用第一至第四CECG堆叠型晶体管组成的矩阵放大网络，结合了二阶矩阵功率放大器超宽带频响特性，从而改善了传统单一CE堆叠或者CG堆叠放大器的高频失配特点，使得整个功率放大器获得了良好的宽带高增益和高功率输出能力。 | ||
| 搜索关键词： | 二阶矩阵 堆叠晶体管 堆叠 超宽带放大器 功率放大器 堆叠技术 馈电网络 平衡网络 输出合成 网络 放大器 矩阵 高功率输出 核心架构 频响特性 输入分配 超宽带 高增益 晶体管 宽带 失配 放大 | ||
【主权项】：
1.一种基于HBT‑HEMT堆叠技术的超宽带放大器，其特征在于，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一CECG堆叠晶体管、第二CECG堆叠晶体管、第三CECG堆叠晶体管、第四CECG堆叠晶体管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的第一馈电网络和与第一至第四CECG堆叠晶体管相连的第二馈电网络；所述二阶矩阵输入分配网络的输入端为整个所述基于HBT‑HEMT堆叠技术的超宽带放大器的输入端，其第一输出端与所述第一CECG堆叠晶体管的输入端连接，其第二输出端与所述第二CECG堆叠晶体管的输入端连接；所述二阶矩阵级间平衡网络的第一端口与所述第一馈电网络的第一输出端连接，所述二阶矩阵级间平衡网络的第二端口与所述第一CECG堆叠晶体管的输出端、第三CECG堆叠晶体管的输入端同时连接，所述二阶矩阵级间平衡网络的第三端口与所述第二CECG堆叠晶体管的输出端、第四CECG堆叠晶体管的输入端同时连接；所述二阶矩阵输出合成网络的输出端为整个所述基于HBT‑HEMT堆叠技术的超宽带放大器的输出端，其第一输入端与所述第一馈电网络的第二输出端连接，其第二输入端与所述第三CECG堆叠晶体管的输出端连接，其第三输入端与所述第四CECG堆叠晶体管的输出端连接；所述第一馈电网络的输入端与供电电压Vdd连接；所述第二馈电网络的输入端与供电电压Vcc连接，第二馈电网络的输出端与所述第一至第四CECG堆叠晶体管的馈电端连接。
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