[发明专利]返工方法以及酸性清洗液在审
| 申请号： | 201811593567.9 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110034009A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 平野勋;濑下武广;昆野健理 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/42;C11D7/34 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种返工方法与能够适合用于该返工方法的酸性清洗液，该返工方法在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，能够抑制对下层膜的损伤，并且从下层膜上良好地剥离有机树脂膜。在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，使用包含可卤代的烷基磺酸的酸性清洗液进行有机树脂膜的除去。 | ||
| 搜索关键词： | 下层膜 返工 有机树脂膜 酸性清洗液 含硅材料 图案化 基板 烷基磺酸 卤代 剥离 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种返工方法，是基板的返工方法，包含：在所述基板上形成包含含硅材料的下层膜；在所述下层膜上形成图案化的有机树脂膜；由酸性清洗液从所述下层膜上除去所述有机树脂膜，所述酸性清洗液含有烷基磺酸，所述烷基磺酸所具有的烷基中的氢原子的至少一部分可以被卤原子取代。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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