[发明专利]一种提高OPC模型精度的方法有效
| 申请号： | 201811593778.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109459911B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 卢意飞 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;张磊 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高OPC模型精度的方法，包括以下步骤：步骤S01：在晶圆上搜集一组量测值；步骤S02：对所述量测值进行处理，过滤掉量测不可信的数据点；步骤S03：基于量测数据建立初始OPC模型；步骤S04：针对主图形进行版图图形与光学信号的卷积，修正初始OPC模型；步骤S05：针对辅助图形进行版图图形与光学信号的卷积，进一步修正初始OPC模型；步骤S06：获得精度更高的修正后OPC模型。本发明针对主图形和辅助图形分别进行信号卷积运算处理，分别修正了主图形和辅助图形的掩模制造误差，能有效提升OPC模型精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 opc 模型 精度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高OPC模型精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在晶圆上搜集一组量测值；步骤S02：对所述量测值进行处理，过滤掉量测不可信的数据点；步骤S03：基于量测数据建立初始OPC模型；步骤S04：针对主图形进行版图图形与光学信号的卷积，修正初始OPC模型；步骤S05：针对辅助图形进行版图图形与光学信号的卷积，进一步修正初始OPC模型；步骤S06：获得精度更高的修正后OPC模型。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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