[发明专利]一种自动扫描缺陷的方法有效
申请号: | 201811595214.2 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109712902B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 王洲男 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种自动扫描缺陷的方法,应用于缺陷扫描工艺中,包括步骤S1,确定多个预设的缺陷扫描策略,并根据扫描精度由上至下对多个缺陷扫描策略进行排列;步骤S2,根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描,并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量;步骤S3,根据缺陷数量和已扫描数量,依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的缺陷扫描策略下的预测缺陷数量;步骤S4,判断预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的缺陷扫描策略的缺陷数量阈值;步骤S2‑S4循环进行,直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。本发明的有益效果在于:通过进行实时预测来更换缺陷扫描策略来得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图,从而降低人力物力。 | ||
搜索关键词: | 一种 自动 扫描 缺陷 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自动扫描缺陷的方法,应用于缺陷扫描工艺中,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,确定多个预设的缺陷扫描策略,并根据扫描精度由上至下对多个所述缺陷扫描策略进行排列;步骤S2,根据扫描精度最大的所述缺陷扫描策略对晶圆进行扫描,并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量;步骤S3,根据所述缺陷数量和所述已扫描数量,依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的所述缺陷扫描策略下的预测缺陷数量;步骤S4,判断所述预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的所述缺陷扫描策略的缺陷数量阈值;若是,则选择下一个所述缺陷扫描策略继续扫描所述晶圆,同时返回所述步骤S2;若否,则直接返回所述步骤S2,以继续采用当前的所述缺陷扫描策略继续扫描所述晶圆;所述步骤S2‑S4循环进行,直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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