[发明专利]一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811597481.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109440071B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;张燕;刘书缘;肖敏;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/10;C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平;张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 集成 光学 损耗 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅集成低光学损耗磁光薄膜材料，其特征在于：从下至上依次包括基底、SiO2、YIG和Ce:YIG；SiO2层厚度为5‑10nm，YIG厚度为50‑60nm，YIG薄膜损耗为100‑150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50‑80dB/cm。
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