[发明专利]衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底在审
| 申请号： | 201811599397.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110911306A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 伊藤冬马;吉水康人;北川白马 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够适当地抑制衬底的翘曲的衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底。一实施方式的衬底处理装置具备衬底保持部，该衬底保持部保持设有膜的衬底。所述装置还具备膜处理部，该膜处理部基于所述衬底的翘曲，以所述膜包含具有第1膜质或膜厚的第1区域和具有与所述第1膜质或膜厚不同的第2膜质或膜厚的第2区域的方式对所述膜进行处理，抑制所述衬底的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体 制造 方法 加工 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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