[发明专利]一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法在审
| 申请号： | 201811602863.0 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109556748A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈海峰 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，包括：测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax；根据最大电流Igemax在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度。依据本申请的基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，由于在漏极电压Vd的作用下使得PN结反偏且MOSFET的源极悬浮时，此时栅极电压Vg使得栅底下的沟道进入到耗尽状态，此时MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的电流Ige非常小，因此Ige对温度的变化异常敏感因此更易探测出温度的变化，同时探测范围大，经过测试可以探测到250K~400K的温度范围；另外，在进行温度测试时由于是直流测试，因此具有对器件要求较低。 | ||
| 搜索关键词： | 界面陷阱 温度测量 探测 最大电流 漏极 半导体器件技术 温度对照表 耗尽状态 漏极电压 器件要求 温度测试 栅极电压 直流测试 反偏 沟道 源极 悬浮 测量 测试 敏感 申请 | ||
【主权项】：
1.一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，其特征在于，包括：步骤1:测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax；步骤2:根据所述最大电流Igemax在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度；所述电流温度对照表通过以下步骤获取：步骤a：记录当前环境温度，测试当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax；步骤b:改变当前环境温度，重复所述步骤a得到不同环境下对应的最大电流Igemax;步骤c:根据环境温度与得到的最大电流Igemax的对应关系，得到电流温度对照表。
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