[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201811603177.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109786526B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 程丁;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型层。应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，每个InGaN层中的In组分沿InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小。则每个InGaN层的靠近GaN层的部分的In组分较低，可以使得InGaN层与GaN层之间的晶格更匹配，从而可以减少InGaN层与GaN层之间产生的压应力，提高应力释放层的晶体质量，进而提高LED的发光效率。同时每个InGaN层的中部In组分含量较高，可以有效释放N型层与有源层之间的压应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型层，所述应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，其特征在于，每个所述InGaN层中的In组分沿所述InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小。
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