[发明专利]半导体器件制作方法在审
| 申请号： | 201811603342.7 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370323A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘超群 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制作方法，该方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面，在所述器件晶圆的正面形成有用于露出焊盘的开口区域；在所述开口区域中形成金属填充层；在所述器件晶圆正面贴敷芯片粘结薄膜，使所述芯片粘结薄膜覆盖所述金属填充层。该半导体器件制作方法可以避免晶圆级系统封装中在焊盘的开口区域形成气泡而导致的电路开路问题，提高工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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