[发明专利]基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器在审
| 申请号： | 201811603343.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109698279A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 常晶晶;黄相平;林珍华;苏杰;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，采用的异质结由二维材料和钙钛矿组成，二维材料和宽禁带半导体优异的光学和电学性质的结合，改善了传统钙钛矿光电探测器高的暗电流，同时提升了光电探测器在近红外波段的光探测。本发明制备的二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器对近红外波段的光信号有高的探测率和响应度，同时弱光下光探测能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 光电探测器 二维材料 钙钛矿 异质结 近红外波段 光探测 光学和电学性质 宽禁带半导体 暗电流 能力强 探测率 响应度 弱光 制备 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，包括衬底(1)、传输层(2)、钙钛矿层(3)、金属电极(4)；其特征在于，所述衬底(1)上依次制备传输层(2)和钙钛矿层(3)组成异质结；所述传输层(2)采用二维材料；所述的钙钛矿层(3)采用ABX3型钙钛矿材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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