[发明专利]一种欠压保护电路在审
| 申请号： | 201811603649.7 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109445509A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 奚冬杰;罗永波;宣志斌;肖培磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575;G05F1/569 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种欠压保护电路，属于集成电路技术领域。所述欠压保护电路包括电阻R1～R5、NMOS管MN1～MN3、PMOS管MP1和MP2、反相器INV1和INV2，通过对NMOS管MN1与NMOS管MN2设置不同的宽长比，以及引入源端负反馈电阻的方式，使得NMOS管MN1和NMOS管MN2中的电流随电源电压VDD具有不同的上升速度和初始值，从而使电路欠压保护阈值VTrip由器件本身参数决定，无需带隙基准电路或齐纳二极管以产生参考电压VREF，因此具有低功耗、结构简单和精确度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 欠压保护电路 带隙基准电路 集成电路技术 负反馈电阻 齐纳二极管 参考电压 参数决定 电源电压 欠压保护 低功耗 反相器 宽长比 电阻 源端 电路 引入 | ||
【主权项】：
1.一种欠压保护电路，其特征在于，包括电阻R1～R5、NMOS管MN1～MN3、PMOS管MP1和MP2、反相器INV1和INV2；其中，电阻R1的第一端接电源电压VDD，第二端接电阻R2的第一端；所述电阻R2的第一端接NMOS管MN1的栅端，第二端接NMOS管MN3的漏端；电阻R3的第一端接所述NMOS管MN1的源端，第二端接NMOS管MN2的源端；电阻R4的第一端接所述电阻R3的第二端，电阻R5的第一端接所述电阻R2的第二端，所述电阻R4的第二端和电阻R5的第二端均接地GND；NMOS管MN1的漏端接PMOS管MP1的漏端，栅端接所述电阻R1的第二端，源端接所述电阻R3的第一端；NMOS管MN2的漏端接PMOS管MP2漏端，栅端接所述NMOS管MN1的栅端，源端接所述电阻R4的第一端；NMOS管MN3的漏端接所述电阻R5的第一端，栅端接反相器INV2的输出端，源端接地GND；所述PMOS管MP1的源端接电源电压VDD，漏端接自身栅端，该栅端与所述PMOS管MP2的栅端互连；所述PMOS管MP2的漏端接反相器INV1输入端，栅端接所述PMOS管MP1的漏端，源端接电源电压VDD；所述反相器INV1的输入端接所述NMOS管MN2漏端，输出端接所述反相器INV2的输入端；所述反相器INV2的输出端接所述NMOS管MN3的栅端。
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