[发明专利]硅异质结太阳能电池及其背场结构和背场结构的制备方法

摘要

本申请公开了一种硅异质结太阳能电池背场结构。所述背场结构包括：p型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；形成在所述背场面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池背场结构的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的背场结构的p型硅掺杂层和TCO界面的对p型硅基底的空穴的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。