[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构在审
| 申请号： | 201811605514.4 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109545697A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨道国;王希有;蔡苗;张国旗 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构，包括：将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；在引线框架的第一引脚上设置第一导电粘接层，在半导体芯片的源极上设置第二导电粘接层；将导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接；将半导体芯片的栅极与引线框架的第二引脚通过键合引线相连接；包封半导体芯片、导电金属片、键合引线和部分引线框架。由于采用导电金属片无需使用铝线或铝带键合工艺实现，降低了半导体封装工艺门槛与封装设备成本，并且导电金属片可根据半导体芯片封装性能要求定制各种规格，有利于提高半导体封装结构的电学性能与散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 导电金属片 导电粘接层 引线框架 半导体封装结构 引脚 半导体封装 键合引线 源极 半导体封装工艺 半导体芯片封装 铝线 电学性能 封装设备 键合工艺 散热性能 性能要求 包封 漏极 铝带 门槛 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；在所述引线框架的第一引脚上设置第一导电粘接层，在所述半导体芯片的源极上设置第二导电粘接层；将导电金属片的一端通过所述第一导电粘接层与所述第一引脚相连接，将所述导电金属片的另一端通过所述第二导电粘接层与所述半导体芯片的源极相连接；将所述半导体芯片的栅极与所述引线框架的第二引脚通过键合引线相连接；包封所述半导体芯片、所述导电金属片、所述键合引线和部分所述引线框架。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811605514.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
