[发明专利]等离子体处理装置及用于该处理装置的基片支座有效
| 申请号： | 201811606414.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111383882B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘季霖;吴狄 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;刘琰 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置及用于该处理装置的基片支座，所述基片支座包含：基座，依次设置在基座上的加热层和静电吸盘，以及设置在加热层和静电吸盘之间的导热层；静电吸盘用于夹持基片；加热层用于对置于所述静电吸盘上的基片进行温控；导热层包括分布在加热层上的若干个沟槽，以及灌封在沟槽内的导热金属流体，导热金属的热导率大于50W/mK；导热金属流体在所述沟槽内流动，使得基片支座具有均一的温度。本发明的导热金属在沟槽内向温度偏低的区域流动，充分实现区域内的热对流交换；使得各区域内的局部基片温度更加均匀一致，进而提高基片良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 用于 支座 | ||
【主权项】：
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