[发明专利]半导体晶片的均温及其制造方法有效
| 申请号： | 201811606954.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370379B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;田喜庆 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片的均温及其制造方法。本发明是将晶片接近最热的区域披覆上一薄层超硬材料或极硬材料，这样晶片在运作时热点不能集中而散布在大面积上，避免了高温晶片原子在热点处振动频率太高而在晶格位移，因此可以更高功率驱动晶片而不致损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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