[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811607166.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109473472A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈雨雁;周炳;许新佳;赵承杰;夏凯 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中，所述半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的GaN层；位于所述GaN层上的AlGaN层；位于所述AlGaN层上的石墨烯层；位于所述石墨烯层上的金属层，所述金属层通过所述石墨烯层与所述AlGaN层形成金半接触的欧姆连接。本发明采用石墨烯作为金属层和AlGaN层间的垫层，利用石墨烯功函数可调的特性，无需高温合金，即可与AlGaN层形成欧姆接触。同时，石墨烯的高导热性和极高的电子迁移率，有利于改善器件的散热性能、工作速度以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 石墨烯层 金属层 石墨烯 衬底层 电子迁移率 高导热性 高温合金 金半接触 欧姆接触 散热性能 功函数 可调的 垫层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的GaN层；位于所述GaN层上的AlGaN层；位于所述AlGaN层上的石墨烯层；位于所述石墨烯层上的金属层，所述金属层通过所述石墨烯层与所述AlGaN层形成金半接触的欧姆连接。
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