[发明专利]新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构

摘要

本发明涉及一种新型二/三维结合的双极化超宽带吸波结构。该结构由第一吸波面、第二吸波面以及金属反射板构成。其中第一吸波面上加载了三维传输线结构。两个二维吸波面和三维传输线结构的这种组合巧妙构造了首尾相接的多谐振，从而实现了宽带双极化吸波(7.15个倍频程)。本发明提出的吸波结构具有厚度薄，重量轻，成本低，易于设计和加工的优点。

主权项

1.新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于为周期性结构，每个结构单元包括两个二维吸波面、一个三维传输线结构以及一个金属反射面；所述的两个二维吸波面包括上下设置的第一吸波面和第二吸波面，均为周期性分布结构单元，每个单元无缝排布；第一吸波面和第二吸波面均为中心对称结构，该中心位于整个结构单元的中心线；所述的第一吸波面包括第一介质基片，第一、第二金属线,以及第一、二集总电阻；其中第一金属线镀在第一介质基片上表面，第二金属线中间段镀在第一介质基片下表面，其他段镀在第一介质基片上表面，且第一金属线与第二金属线中间段垂直设置，垂直交叉点位于整个结构单元的中心线；第一集总电阻焊接在第一介质基片上表面第一金属线中心位置上的，第二集总电阻焊接在第二金属线中间段中心位置，该中心位于整个结构单元的中心线；第二集总电阻两端分别通过第一、第二金属化过孔与第二金属线位于第一介质基片上表面的线段相连；所述的第二吸波面包括与第一介质基片平行设置的第三介质基片，分别镀在第三介质基片上下表面的第七、第八金属线，以及分别焊接在第七、第八金属线中心位置上的第三、第四集总电阻，该中心位于整个结构单元的中心线；所述的第三介质基片四周边沿中心处挖槽，槽为半圆形，第七、第八金属线靠近挖槽端为半圆形，并将槽围合；所述的三维传输线结构设置在两个二维吸波面间，为中心对称结构，该中心位于整个结构单元的中心线；具体包括设置在吸波面侧面的第二介质基片以及镀在第二介质基片内侧四周的第三、四、五、六金属线；第二介质基片上端与第一介质基片接触，另一端穿过第三介质基片挖槽与设置在第三介质基片下方的金属反射面接触；其中第二介质基片不与第三介质基片相接触，且留有空隙；所述的第一吸波面与金属反射面之间的距离为(0.4λ0～0.6λ0)；所述的第三、四、五、六金属线的长度为其中表示吸波带中心频率对应的介质中的波长，λ₀表示吸波带中心频率对应的自由空间波长，ε₂表示介质基片的介电常数；所述的三维传输线结构的第三、四、五、六金属线一端与第一吸波面上表面的第一、二金属线连接；所述的第一吸波面、三维传输线结构、第二吸波面和金属反射面的中心位于同一竖直直线上，该直线即为整个结构单元的中心线；所述的第二、三介质基板、金属反射面围合成开放式空气腔，该开放式空气腔决定了中心频率附近的吸波效果，其厚度为(0.2λ0～0.3λ0)。