[发明专利]集成电路的制造方法在审
| 申请号： | 201811607328.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109698121A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陆连;朱轶铮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/762;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的集成电路的制造方法，主要包括了在淀积完结构层后，在该结构层上涂上有机涂层材料，形成有机涂层材料层；在刻蚀时，用经过刻蚀形成图案的有机涂层材料层作为掩模对该结构层进行刻蚀。由于，该有机涂层材料具有流动性，在该有机涂层材料的上表面形成一平面，在该平面的基础上再沉积相关材料厚度一致，进行刻蚀时关键尺寸——宽度一致，该集成电路的性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 有机涂层材料 刻蚀 结构层 集成电路 厚度一致 宽度一致 平面的 上表面 再沉积 淀积 掩模 制造 图案 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，在淀积完结构层后，在该结构层上涂上有机涂层材料，形成有机涂层材料层；在刻蚀时，用经过刻蚀形成图案的有机涂层材料层作为掩模对该结构层进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
