[发明专利]一种五结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP/Al_zGa_1‑zAs/GaAs/Ga_mIn_1‑mAs/GanIn_1‑nAs五结太阳电池及其制备方法，五结太阳电池包括双面抛光的GaAs衬底，GaAs衬底的上表面上由上至下依次设置(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP子电池和Al_zGa_1‑zAs子电池，GaAs衬底的下表面上由上至下依次设置Ga_mIn_1‑mAs子电池和Ga_nIn_1‑nAs子电池。该五结太阳电池及制备方法通过在GaAs衬底上下表面双面生长的方法，获得由(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP子电池、Al_zGa_1‑zAs子电池、GaAs子电池、Ga_mIn_1‑mAs(1.0eV)和Ga_nIn_1‑nAs(0.7eV)子电池组成的五结叠层太阳电池，电池的带隙结构达到与太阳光谱的最佳匹配，且可避免生长稀氮化合物等制备较为困难的材料和键合技术等复杂技术工艺。

主权项

1.一种(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP/Al_zGa_1‑zAs/GaAs/Ga_mIn_1‑mAs/GanIn_1‑nAs五结太阳电池，其特征在于：包括双面抛光的GaAs衬底，所述GaAs衬底的上表面上由上至下依次设置(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP子电池和Al_zGa_1‑zAs子电池，所述GaAs衬底的下表面上由上至下依次设置Ga_mIn_1‑mAs子电池和Ga_nIn_1‑nAs子电池；优选的，所述GaAs衬底的上表面上由上至下依次设置(Al_xGa_1‑x)_yIn_1‑yP子电池、第四隧道结、Al_zGa_1‑zAs子电池、第三隧道结、GaAs子电池窗口层和GaAs子电池发射区层，所述GaAs衬底的下表面上由上至下依次设置GaAs子电池背场层、第二隧道结、AlGaInAs第一晶格渐变缓冲层、Ga_mIn_1‑mAs子电池、第一隧道结、AlGaInAs第二晶格渐变缓冲层和Ga_nIn_1‑nAs子电池。