[发明专利]InGaAs探测器芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种InGaAs探测器芯片及其制备方法，所述InGaAs探测器芯片依次包括衬底、N型半导体层、吸收层、及P型半导体层，所述N型半导体层为n+掺杂的InP层，P型半导体层为p+掺杂的InP层，吸收层包括p+掺杂的P型InGaAs吸收层和n+掺杂的N型InGaAs吸收层，P型InGaAs吸收层与P型半导体层相邻，N型InGaAs吸收层与N型半导体层相邻，所述P型InGaAs吸收层的厚度小于N型InGaAs吸收层的厚度，P型InGaAs吸收层的掺杂浓度大于N型InGaAs吸收层的掺杂浓度。本发明通过优化吸收层的厚度及掺杂，采用高低掺杂的两层InGaAs吸收层，可以增大PN结的结电容，在不影响芯片响应速度的情况下，大大提高了探测器芯片的抗静电能力，保证了芯片的可靠性。

主权项

1.一种InGaAs探测器芯片，其特征在于，所述InGaAs探测器芯片依次包括衬底、N型半导体层、吸收层、及P型半导体层，所述N型半导体层为n+掺杂的InP层，P型半导体层为p+掺杂的InP层，吸收层包括p+掺杂的P型InGaAs吸收层和n+掺杂的N型InGaAs吸收层，P型InGaAs吸收层与P型半导体层相邻，N型InGaAs吸收层与N型半导体层相邻，所述P型InGaAs吸收层的厚度小于N型InGaAs吸收层的厚度，P型InGaAs吸收层的掺杂浓度大于N型InGaAs吸收层的掺杂浓度。