[发明专利]高线性度的电压自举开关

摘要

本公开提供了一种高线性度的电压自举开关，包括：电压自举开关电路和电荷补偿电路；其中电荷补偿电路包括：第三PMOS管，第十一NMOS管，第十二NMOS管，第十三NMOS管，第四电容，第五电容，第六电容。本公开在第一NMOS管的关断相位，第四电容预充到Vin*C4，在第一NMOS管的导通相位，用第四电容预充的电荷来补偿信号路径上寄生电容带来的电荷分享效应，进而减小由寄生电容导致的开关导通电阻的非线性，实现高线性度的电压自举开关。

主权项

1.一种高线性度的电压自举开关，包括：电压自举开关电路；以及电荷补偿电路，包括：第十三NMOS管、第十二NMOS管和第十一NMOS管，所述第十一NMOS管的漏极与所述第十三NMOS管的漏极互接，所述第十一NMOS管的漏极还与所述电压自举开关电路的第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的源极、第十四NMOS管的漏极互接；第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极与所述电压自举开关电路的第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极互接；所述第三PMOS管的源极与所述电压自举开关电路的第一PMOS管的源极和第七NMOS管的源极互接；所述第三PMOS管的衬底与所述第三PMOS管的源极互接；第四电容，所述第四电容的上极板分别连接所述第三PMOS管的漏极、所述第十一NMOS管的源极；所述第四电容的下极板连接所述电压自举开关电路的第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的源极；第五电容，所述第五电容的上极板连接所述第十三NMOS管的源极、第十一NMOS管的栅极和所述电压自举开关电路的第十四NMOS管的栅极；所述第五电容的下极板接反相时钟；第六电容，所述第六电容的上极板连接所述电压自举开关电路的第十四NMOS管的源极和第十三PMOS管的栅极；所述第六电容的下极板接时钟。