[发明专利]一种AlN纳米结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201811609104.7 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109802003B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李国强;黄烈根;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlN纳米结构及其制备方法。该AlN纳米结构包括衬底、AlN薄膜、AlN纳米片。其中，AlN纳米片由大量AlN纳米棒水平堆叠而成，且其形貌演变具有周期性。相对于其他的一维AlN纳米结构，本发明制备AlN纳米片为单晶材料，晶体质量高；纳米片由大量密度均匀、形貌统一的纳米棒堆叠而成，比表面积显著增加，提取加工也相对容易。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlN纳米结构，其特征在于，该结构自下至上依次为衬底、AlN薄膜、AlN纳米片，所述AlN纳米片由AlN纳米棒水平堆叠而成，且AlN纳米片的形貌演变具有周期性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
