[发明专利]片状磁体磁控溅射镀膜工艺有效
| 申请号： | 201811609235.5 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111378940B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘月玲 | 申请（专利权）人： | 廊坊京磁精密材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;H01F41/18;H01F41/22 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 065300 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了片状磁体磁控溅射镀膜工艺，包括：将块状磁体在至少一个非取向方向上的厚度加工至小于极限距离，并将块状磁体在非取向方向上的截面尺寸加工至与片状磁体的设计尺寸相同，得目标块状磁体；用磁控溅射法在目标块状磁体朝向该非取向方向的表面上溅射重稀土元素膜；将溅射有重稀土元素膜的目标块状磁体进行热处理；将热处理完成的目标块状磁体根据片状磁体的设计厚度，切割成多块片状磁体。本发明将块状磁体加工为特定形式，然后在朝向非取向方向的表面上溅射重稀土元素膜，待重稀土元素扩散后，切割可得多块磁性能相同的片状磁体，生产效率相比于现有技术更高。 | ||
| 搜索关键词： | 片状 磁体 磁控溅射 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
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