[发明专利]基于NTA的IMAC填料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201811609279.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109663384B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吕小林;丁忠 | 申请（专利权）人： | 苏州赛分科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D15/08 | 分类号： | B01D15/08;C07K1/22 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于NTA的IMAC填料及其制备方法和应用。该制备方法包括如下步骤：提供一种基质；在所述基质的表面构建醛基，得到表面具有醛基的基质；将醛基转化为α‑氨基羧酸，得到表面具有α‑氨基羧酸的基质；在所述表面具有α‑氨基羧酸的基质的表面构建NTA基团，得到表面具有NTA基团的基质；以及将NTA基团与过渡金属离子螯合，得到基于NTA的IMAC填料。上述基于NTA的IMAC填料的制备方法，避免使用高成本原料，而且制备工艺清洁，纯化过程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nta imac 填料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于NTA的IMAC填料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一种基质；在所述基质的表面构建醛基，得到表面具有醛基的基质；将醛基转化为α‑氨基羧酸，得到表面具有α‑氨基羧酸的基质；在所述表面具有α‑氨基羧酸的基质的表面构建NTA基团，得到表面具有NTA基团的基质；以及将NTA基团与过渡金属离子螯合，得到基于NTA的IMAC填料。
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