[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法以及擦除数据的方法在审
| 申请号： | 201811609370.X | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979511A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 沈元補;南尚完;赵志虎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王凯霞;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种操作非易失性存储器装置的方法以及擦除数据的方法。一种操作存储器装置的方法包括：响应于指向多个子块内的选择的子块的擦除命令，对其中包括所述多个子块的存储器块内的至少一个牺牲子块执行数据读取操作。然后，对所述至少一个牺牲子块执行软编程操作。该软编程操作之后跟随着擦除所述多个子块内的选择的子块的操作。该擦除选择的子块的操作可包括：向存储器块在其上延伸的基底的体区域提供擦除电压，所述至少一个牺牲子块可被设置在选择的子块与基底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 子块 非易失性存储器装置 擦除数据 存储器块 软编程 擦除 基底 数据读取操作 操作存储器 擦除电压 擦除命令 体区域 指向 响应 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种操作非易失性存储器装置的方法，包括：响应于指向多个子块内的选择的子块的擦除命令，对包括所述多个子块的存储器块内的至少一个牺牲子块执行数据读取操作；然后，对所述至少一个牺牲子块执行软编程操作；然后，对所述多个子块内的选择的子块执行数据擦除操作。
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