[发明专利]二氧化硅层、其制造方法、形成其的组合物及电子装置有效

专利信息
申请号: 201811610012.0 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN110903764B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 裵鎭希;郭泽秀;李忠宪;黄丙奎;司空峻;卢健培;任浣熙;赵炫洙 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: C09D183/16 分类号: C09D183/16;C09D183/14;C09D1/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;臧建明
地址: 韩国京畿道龙仁*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置,所述用于形成二氧化硅层的组合物包含:含硅聚合物,包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合;以及溶剂,其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量,且满足方程式1,在方程式1中,A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积,且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
搜索关键词: 二氧化硅 制造 方法 形成 组合 电子 装置
【主权项】:
暂无信息
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