[发明专利]线切割后清洗晶圆的方法和清洗装置在审
| 申请号： | 201811610269.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109590266A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 姜镕 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;贾玉 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种线切割后清洗晶圆的方法和清洗装置，线切割后清洗晶圆的方法包括以下步骤：将晶圆置于移动结构上以带动所述晶圆在上下方向上移动并倾斜；向所述晶圆上喷洒清洗液。根据本发明的线切割后清洗晶圆的方法，将晶圆置于移动结构上以带动晶圆在上下方向上移动并倾斜，向晶圆上喷洒清洗液对晶圆进行清洗，通过上述方法能够有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物，减小污染物对晶圆的影响，避免污染物影响晶圆的后续工序，提高清洗效率，减少清洗时间，降低成本。通过清洗装置能够实现上述清洗晶圆的方法，有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗 线切割 清洗装置 污染物 上下方向 移动结构 清洗液 上移动 喷洒 后续工序 清洗效率 减小 | ||
【主权项】：
1.一种线切割后清洗晶圆的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，将晶圆置于移动结构上以带动所述晶圆在上下方向上移动并倾斜；步骤S2，向所述晶圆上喷洒清洗液。
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