[发明专利]磁阻式随机存取存储器的布局图案有效
| 申请号： | 201811610931.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384234B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朱中良;汤志贤;陈昱瑞;蔡雅卉;黄瑞民;戴觉非 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H01L27/02;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其包含第一磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案，设于基底上，第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及第一金属内连线图案设于该第一MTJ图案以及该第二MTJ图案之间，其中该第一MTJ图案、该第一金属内连线图案以及该第二MTJ图案交错排列。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 布局 图案 | ||
【主权项】：
暂无信息
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