[发明专利]一种PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜及其制备方法、目标基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201811611003.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109448890B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 茅丹;张娟娟;张洪涛;谭化兵 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C08J7/04;C08L67/02;C08L79/08 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PEDOT‑PSS掺杂石墨烯导电薄膜及其制备方法和石墨烯转移的目标基底及其制备方法，所述目标基底包括基膜和设置在基膜表面的PEDOT‑PSS薄膜，通过在基膜上涂覆、烘烤后制备而成。所述PEDOT‑PSS掺杂石墨烯导电薄膜包括石墨烯及所述目标基底，其制备方法包括：对转移膜/石墨烯/金属基底进行刻蚀除去金属基底，得到转移膜/石墨烯；将转移膜/石墨烯和所述目标基底贴合在一起，再撕除转移膜，得到石墨烯/PEDOT‑PSS/基膜。本发明提供的PEDOT‑PSS掺杂石墨烯导电薄膜及其制备方法和石墨烯转移的目标基底及其制备方法制备出的石墨烯导电薄膜的方阻低、高温稳定性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pedot pss 掺杂 石墨 导电 薄膜 及其 制备 方法 目标 基底 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯转移的目标基底，其特征在于，所述目标基底包括基膜和设置于基膜表面的PEDOT‑PSS薄膜。
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