[发明专利]一种石墨烯-ZnO复合材料及其制备方法和紫外探测器有效
| 申请号： | 201811611051.2 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109713050B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张昭宇;项国洪;钟可怡;方铉;袁牧锋 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/028;H01L31/0296;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 逯恒 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯‑ZnO复合材料及其制备方法和紫外探测器，该石墨烯‑ZnO复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)采用射频等离子体增强化学气相沉积法在衬底上得到垂直的石墨烯薄片，所述衬底采用泡沫镍；(2)采用电化学沉积法在所述垂直的石墨烯薄片间横向生长ZnO纳米线。本发明得到的石墨烯‑ZnO复合材料具有较高的比表面积，应用于紫外探测器中时，有效提高了紫外探测器器件中光敏层的表面积(即实际感光面积)和光生电子利用效率，以及使基于石墨烯‑ZnO复合材料的紫外探测器具有更高的电学性能和稳定性，且导热能力增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 zno 复合材料 及其 制备 方法 紫外 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯‑ZnO复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)采用射频等离子体增强化学气相沉积法在衬底上得到垂直的石墨烯薄片，所述衬底采用泡沫镍；(2)采用电化学沉积法在所述垂直的石墨烯薄片间横向生长ZnO纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
